SanDisk e Toshiba, memorie flash a 19nm

Intel chiama, Toshiba risponde. Se il gigante dei microship nei giorni scorsi ha annunciato un’importante novità in materia di storage, presentando una nuova soluzione NAND da 20 nanometri, il rivale giapponese è andato addirittura oltre: la collaborazione con SanDisk ha infatti permesso alla società di realizzare una tecnologia a 19 nanometri per la realizzazione di memorie flash NAND.

Disponibili sul mercato entro la fine del secondo trimestre di quest’anno, le nuove memorie flash prodotte da SanDisk e

si candidano come strumenti ideali per la realizzazione dei dispositivi per l’archiviazione dati all’interno di terminali mobile: tablet e smartphone non potranno che giovare da tali innovazioni tecnologiche, grazie alla possibilità di realizzare SSD di dimensioni sufficientemente ampie in termini di byte immagazzinabili, ma sensibilmente più piccole in termini di spazio fisico occupato.

In un primo momento saranno prodotte esclusivamente memorie NAND da 2 bit per cella. Solo in seguito, a partire dalla seconda metà del 2011, verrà dato il via alla realizzazione della versione a 3 bit per cella. Ciascun modulo offre 64 Gigabit di spazio e combinando insieme più memorie sarà possibile realizzare componenti di maggiore capacità dal punto di vista dello storage: con 16 unità si può ottenere ad esempio un modulo di capacità complessiva pari a 128 GB, più che sufficienti in gran parte dei contesti.

In poche ore il mondo dell’archiviazione di informazioni digitali ha visto dunque un botta e risposta in grado di accendere un mercato in continua evoluzione. Il progresso tecnologico in tal senso compie rapidamente passi da gigante, con società che propongono nuove soluzioni in grado di sbaragliare quelle precedenti a ritmi serrati. Quanto realizzato da Toshiba e SanDisk rappresenta però un significativo miglioramento, in grado di imporsi sulle alternative attualmente in commercio con relativa facilità.