Memorie flash, un futuro all'insegna del grafene

Il grafene è uno dei materiali attualmente più gettonati nel campo della ricerca: ne sono un esempio le numerose applicazioni sperimentali attualmente in corso, con diverse aziende come Nokia ed altre alle prese con la determinazione delle reali potenzialità del materiale. Dal Politecnico Federale di Losanna, in Svizzera, giunge una nuova idea in tal senso: alcuni ricercatori hanno infatti realizzato dei prototipi di memorie flash basandosi proprio sul grafene.

Nello specifico, tale materiale è accompagnato dalla molibdenite, un semiconduttore ampiamente diffuso in natura in grado di offrire interessanti capacità in termini di prestazioni, flessibilità e dimensioni delle memorie. Entrambi i materiali hanno entusiasmato il mondo scientifico a tal punto di ritenere possibile il superamento entro breve tempo dei limiti attualmente imposti dalle tecnologie in silicio e la loro combinazione può offrire un’ottima base di partenza per lo sviluppo delle memorie di domani per PC, tablet, smartphone, fotocamere ed altri dispositivi elettronici.

Uno dei principali vantaggi provenienti dal loro utilizzo deriva dalla struttura molecolare bi-dimensionale, la quale permette di ridurre notevolmente le dimensioni delle singole celle di memoria e, di conseguenza, dell’intera unità, conferendole anche interessanti caratteristiche dal punto di vista della flessibilità meccanica. La molibdenite, inoltre, permette di effettuare continui switch di tipo “on-off” senza consumare eccessive quantità di energia, mentre il grafene offre tutti i vantaggi derivanti da un’elevata conducibilità.

La struttura complessiva delle memorie realizzate in Svizzera è quindi paragonabile ad un sandwich, con uno strato di molibdenite al centro al posto del classico silicio, avvolto da diversi strati di grafene a fungere sia da elettrodi che da sistemi per la trasmissione dei dati. Al momento, il prototipo è in grado di immagazzinare esclusivamente un bit, ma una volta migliorati alcuni dettagli potrebbe esser possibile realizzare interi banchi di memoria senza particolari problemi, permettendo l’ascesa della nanoelettronica in ogni settore.