IBM insieme ai suoi partner (Chartered, Freescale, Infineon, Samsung, STMicroelectronics e Toshiba) annuncia di aver ottenuto significativi miglioramenti, in termini di prestazioni e consumo, utilizzando per la produzione di semiconduttori un materiale noto come high-k/metal gate (HKMG).
La tecnologia HKMG, che verrà introdotta con i processori a 32 nanometri ed estesa anche ai processi produttivi a 28 e 22 nm, consiste nel sostituire il gate in silicio policristallino con un gate metallico e il dielettrico in diossido di silicio con un dielettrico high-k.
I test, realizzati su diversi circuiti e chip a 32 nm, hanno dimostrato un miglioramento prestazionale fino al 35% rispetto alla generazione a 45 nm (senza high-k) alla stessa tensione operativa, e una riduzione del consumo variabile dal 30 al 50% (in base alla tensione utilizzata).
L’applicazione della tecnologia HKMG avverrà attraverso un programma di sperimentazione che inizierà nel terzo trimestre del 2008. Per una volta il settore R&D di IBM (riconosciuto da tutti come uno dei migliori al mondo) è arrivato in ritardo. Intel, infatti, già impiega dielettrici high-k a base di afnio nella produzione delle CPU a 45 nm attualmente in commercio.
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