Flash NAND a 34nm in arrivo da Intel e Micron

Nei giorni scorsi Intel e Micron hanno avviato la produzione in massa dei chip di memoria

con processo produttovi di 34 nanometri.

Tali chip di memoria sono realizzati con tecnologia

che consente di immagazzinare una maggiore densità di bit per unità di superficie, raggiungendo così una capacità pari a 32 gigabit.

I vantaggi in termini di riduzione dello spazio fisico e aumento della capacità di stoccaggio dei dati sono accompagnati da una riduzione dell’energia richiesta per il funzionamento del chip di memoria, che porta anche ad una minore dissipazione di calore.

La superficie di ciascun chip di memoria è di soli 172 millimetri quadrati e la resa produttiva è economicamente vantaggiosa grazie all’utilizzo di wafare da 300 millimetri di diametro: in questo modo è possibile dotare dispositivi come

o schede di memoria di capacità maggiori senza penalizzare le dimensioni finali del prodotto.

Allo stato attuale si prevede che la consegna dei primi campioni di chip di memoria a 34 nanometri avverrà per l’inizio del 2009, sia per quanto riguarda quelli realizzati in MLC che per quelli realizzati in

, ovviamente con capacità inferiori per questi ultimi.