Un gruppo di ricercatori dell’Università di Tokyo ha sviluppato una tecnologia per realizzare memorie flash NAND che consente di ridurre i consumi e di aumentare la velocità di scrittura.
Utilizzando un materiale ferroelettrico per il gate della singola cella, è possibile ridurre la tensione di alimentazione da 3 a 1 Volt e ridurre i consumi fino all’86%.
Inoltre la tensione necessaria per la scrittura dei dati in una cella può essere diminuita fino a 6 Volt, mentre il valore richiesto dai chip NAND attuali è pari a 20 Volt. Per risolvere i problemi derivanti da una tensione inferiore (errori di scrittura), è stato sviluppato un nuovo metodo di scrittura denominato Single-cell Self-boost.
Il materiale ferroelettrico consente anche di incrementare il numero dei chip che possono essere scritti in parallelo fino a 110, un numero circa 7 volte più alto delle normali memorie flash. In questo modo, la velocità di scrittura raggiunge i 9,5 GB/sec.
Secondo i ricercatori infine il consumo di una cella NAND ferroelettrica alimentata con una tensione di 1 Volt è l’86% inferiore a quello di una cella a 1,8 Volt.
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